Альянс производителей чипов во главе с IBM представил первый в мире чип, выполненный по 22-нанометровому техпроцессу. Этим чипом стал модуль памяти SRAM, который является неотъемлемой частью процессора.
Создан модуль был на базе 300-миллиметровых кремниевых подложек. Площадь одной его ячейки равна 0,1 микрометра. Состоит одна ячейка из шести транзисторов, которые созданы по технологии high-k/metal gate. Это значит, что диоксид кремния в них заменен сплавом на основе гафния, являющегося хорошим диэлектриком. Такой метод производства позволяет уменьшить размеры транзисторов, чего нельзя достичь, используя кремний.